Name: IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 5173 KRW
Availability: OutOfStock

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
DigiKey 제품 번호	448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
제품 요약	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
제조업체 표준 리드 타임	39주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 25 V 75A(Ta), 789A(Tc) 2.5W(Ta), 278W(Tc) 표면 실장 PG-WHTFN-9-U02
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Infineon Technologies
계열	OptiMOS™ 5
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	75A(Ta), 789A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	0.29m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2V @ 1.448mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	110 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)	±16V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	17000 pF @ 12 V
FET 특징	-
내전력(최대)	2.5W(Ta), 278W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	PG-WHTFN-9-U02
패키지/케이스	9-PowerWDFN