Name: IQDH29NE2LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5ATMA1TR-ND
Price: 6956 KRW
Availability: OutOfStock

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IQDH29NE2LM5ATMA1
DigiKey 제품 번호	448-IQDH29NE2LM5ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IQDH29NE2LM5ATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IQDH29NE2LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IQDH29NE2LM5ATMA1
제품 요약	TRENCH <= 40V
제조업체 표준 리드 타임	61주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 25 V 75A(Ta), 789A(Tc) 2.5W(Ta), 278W(Tc) 표면 실장 PG-TSON-8-9
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IQDH29NE2LM5ATMA1 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 0.29m옴 @ 50A, 10V
제조업체 Infineon Technologies	Vgs(th)(최대) @ Id 2V @ 1.448mA
계열 OptiMOS™ 5	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 254 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±16V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 17000 pF @ 12 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 2.5W(Ta), 278W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 25 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 75A(Ta), 789A(Tc)	공급 장치 패키지 PG-TSON-8-9
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	패키지/케이스 8-PowerTDFN