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사용 가능한 대체품:

등가 파라미터


Infineon Technologies
재고 있음: 116
단가 : ₩20,012.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 282
단가 : ₩23,941.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 35
단가 : ₩20,853.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 461
단가 : ₩20,868.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 376
단가 : ₩14,004.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 237
단가 : ₩26,586.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 0
단가 : ₩22,856.00000
규격서

유사


Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 313
단가 : ₩22,580.00000
규격서
N채널 650 V 68.5A(Tc) 500W(Tc) 스루홀 PG-TO247-3-1
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IPW65R041CFDFKSA1

DigiKey 제품 번호
448-IPW65R041CFDFKSA1-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
IPW65R041CFDFKSA1
제품 요약
MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 68.5A(Tc) 500W(Tc) 스루홀 PG-TO247-3-1
규격서
 규격서
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
Category
Vgs(th)(최대) @ Id
4.5V @ 3.3mA
제조업체
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
300 nC @ 10 V
계열
Vgs(최대)
±20V
포장
튜브
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
8400 pF @ 100 V
부품 현황
단종
내전력(최대)
500W(Tc)
FET 유형
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
기술
실장 유형
스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
공급 장치 패키지
PG-TO247-3-1
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
패키지/케이스
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
기준 제품 번호
Rds On(최대) @ Id, Vgs
41m옴 @ 33.1A, 10V
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(8)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
IPW65R041CFDFKSA2Infineon Technologies116IPW65R041CFDFKSA2-ND₩20,012.00000등가 파라미터
FCH041N65F-F085onsemi282FCH041N65F-F085-ND₩23,941.00000유사
SIHG70N60AEF-GE3Vishay Siliconix35742-SIHG70N60AEF-GE3-ND₩20,853.00000유사
STW69N65M5STMicroelectronics461497-12987-5-ND₩20,868.00000유사
STW72N60DM2AGSTMicroelectronics376497-16130-5-ND₩14,004.00000유사
단종
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