Name: IPT026N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT026N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 8531 KRW
Availability: InStock

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IPT026N12NM6ATMA1
DigiKey 제품 번호	448-IPT026N12NM6ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IPT026N12NM6ATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IPT026N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPT026N12NM6ATMA1
제품 요약	IPT026N12NM6ATMA1
제조업체 표준 리드 타임	17주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 120 V 23A(Ta), 224A(Tc) 3W(Ta), 283W(Tc) 표면 실장 PG-HSOF-8-1
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPT026N12NM6ATMA1 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.6m옴 @ 115A, 10V
제조업체 Infineon Technologies	Vgs(th)(최대) @ Id 3.6V @ 169µA
계열 OptiMOS™ 6	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 88 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 6500 pF @ 60 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 3W(Ta), 283W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 120 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 23A(Ta), 224A(Tc)	공급 장치 패키지 PG-HSOF-8-1
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 8V, 10V	패키지/케이스 8-PowerSFN