Name: IPN60R2K1CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R2K1CEATMA1TR-ND
Price: 1208 KRW
Availability: InStock

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IPN60R2K1CEATMA1
DigiKey 제품 번호	IPN60R2K1CEATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) IPN60R2K1CEATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) IPN60R2K1CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPN60R2K1CEATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 600 V 3.7A(Tc) 5W(Tc) 표면 실장 PG-SOT223-3
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPN60R2K1CEATMA1 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.5V @ 60µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V
계열 CoolMOS™ CE	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 140 pF @ 100 V
부품 현황 기존 설계 전용	내전력(최대) 5W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -40°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	공급 장치 패키지 PG-SOT223-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 3.7A(Tc)	패키지/케이스 TO-261-4, TO-261AA
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IPN60R2
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.1옴 @ 800mA, 10V

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