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보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.
IPI60R125CPXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 제품 번호 | IPI60R125CPXKSA1-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | IPI60R125CPXKSA1 |
제품 요약 | MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 650 V 25A(Tc) 208W(Tc) 스루홀 PG-TO262-3 |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | IPI60R125CPXKSA1 모델 |
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류 | Vgs(th)(최대) @ Id 3.5V @ 1.1mA |
제조업체 | 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 70 nC @ 10 V |
계열 | Vgs(최대) ±20V |
포장 튜브 | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2500 pF @ 100 V |
부품 현황 기존 설계 전용 | 내전력(최대) 208W(Tc) |
FET 유형 | 작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ) |
기술 | 실장 유형 스루홀 |
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V | 공급 장치 패키지 PG-TO262-3 |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 패키지/케이스 |
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V | 기준 제품 번호 |
Rds On(최대) @ Id, Vgs 125m옴 @ 16A, 10V |
제품 정보 오류 보고
문서 및 미디어
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(2)
| 부품 번호 | 제조업체 | 주문 가능 수량 | DigiKey 제품 번호 | 단가 | 대체품 유형 |
|---|---|---|---|---|---|
| STI33N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-15016-5-ND | ₩1.62362 | 유사 |
| XP60SL115DR | YAGEO XSEMI | 988 | 5048-XP60SL115DR-ND | ₩4.46000 | 유사 |
재고: 478
추가 입고 예정인 재고 확인
수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩9,708.00000 | ₩9,708 |
| 50 | ₩5,126.98000 | ₩256,349 |
| 100 | ₩4,683.94000 | ₩468,394 |
| 500 | ₩3,908.01000 | ₩1,954,005 |
| 1,000 | ₩3,658.95300 | ₩3,658,953 |
| 2,000 | ₩3,525.60400 | ₩7,051,208 |
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