Name: IPG20N10S4L22ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND
Price: 4556 KRW
Availability: InStock

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IPG20N10S4L22ATMA1
DigiKey 제품 번호	IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) IPG20N10S4L22ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPG20N10S4L22ATMA1
제품 요약	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
제조업체 표준 리드 타임	35주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 100V 20A 60W 표면 실장 PG-TDSON-8-4
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPG20N10S4L22ATMA1 모델

제품 특성

유사 제품 검색

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이	Vgs(th)(최대) @ Id 2.1V @ 25µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 27nC(10V)
계열 OptiMOS™	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1755pF @ 25V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	전력 - 최대 60W
부품 현황 활성	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	등급 자동차
구성 2 N-Chan(이중)	인증 AEC-Q101
FET 특징 논리 레벨 게이트	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100V	패키지/케이스 8-PowerVDFN
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 20A	공급 장치 패키지 PG-TDSON-8-4
Rds On(최대) @ Id, Vgs 22m옴 @ 17A, 10V	기준 제품 번호 IPG20N

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