Name: IPG20N06S4L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N06S4L26ATMA1TR-ND
Price: 2441 KRW
Availability: InStock

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IPG20N06S4L26ATMA1
DigiKey 제품 번호	IPG20N06S4L26ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) IPG20N06S4L26ATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) IPG20N06S4L26ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPG20N06S4L26ATMA1
제품 요약	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
제조업체 표준 리드 타임	12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 60V 20A 33W 표면 실장 PG-TDSON-8-4
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPG20N06S4L26ATMA1 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Infineon Technologies
계열	OptiMOS™
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	2 N-Chan(이중)
FET 특징	논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)	60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	20A
Rds On(최대) @ Id, Vgs	26m옴 @ 17A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.2V @ 10µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	20nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1430pF @ 25V
전력 - 최대	33W
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	8-PowerVDFN
공급 장치 패키지	PG-TDSON-8-4
기준 제품 번호	IPG20N

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