Name: IPD110N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD110N12N3GATMA1TR-ND
Price: 4342 KRW
Availability: InStock

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IPD110N12N3GATMA1
DigiKey 제품 번호	IPD110N12N3GATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) IPD110N12N3GATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) IPD110N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPD110N12N3GATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
제조업체 표준 리드 타임	20주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 120 V 75A(Tc) 136W(Tc) 표면 실장 PG-TO252-3
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPD110N12N3GATMA1 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 83µA(통상)
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 65 nC @ 10 V
계열 OptiMOS™	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 4310 pF @ 60 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 136W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 120 V	공급 장치 패키지 PG-TO252-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 75A(Tc)	패키지/케이스 TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IPD110
Rds On(최대) @ Id, Vgs 11m옴 @ 75A, 10V