IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies | 이산 반도체 제품

IPB80N06S208ATMA2은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.

사용 가능한 대체품:

유사

IXYS

재고 있음: 0

단가 : ₩3,256.02000

유사

Vishay Siliconix

재고 있음: 1,801

단가 : ₩5,566.00000

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Infineon Technologies
계열	OptiMOS™
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	80A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	7.7m옴 @ 58A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 150µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2860 pF @ 25 V
FET 특징	-
내전력(최대)	215W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	자동차
인증	AEC-Q101
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	PG-TO263-3-2
패키지/케이스	TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호	IPB80N