Name: IPB70N10S312ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB70N10S312ATMA2TR-ND
Price: 2313.609 KRW
Availability: OutOfStock

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등가 파라미터

Infineon Technologies

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 66 nC @ 10 V
제조업체 Infineon Technologies	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 4355 pF @ 25 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 125W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	등급 자동차
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	인증 AEC-Q101
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 70A(Tc)	실장 유형 표면 실장
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	공급 장치 패키지 PG-TO263-3-2
Rds On(최대) @ Id, Vgs 11.6m옴 @ 70A, 10V	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 83µA

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대체품(1)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IPB70N10S312ATMA1	Infineon Technologies	1,917	IPB70N10S312ATMA1CT-ND	₩7,063.00000	등가 파라미터

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테이프 및 릴(TR)

제조업체 표준 포장

IPB70N10S312ATMA2