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N채널 650 V 17.5A(Tc) 151W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
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N채널 650 V 17.5A(Tc) 151W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R190CFDATMA1

DigiKey 제품 번호
IPB65R190CFDATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
IPB65R190CFDATMA1
제품 요약
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 17.5A(Tc) 151W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
IPB65R190CFDATMA1 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
190m옴 @ 7.3A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4.5V @ 730µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1850 pF @ 100 V
FET 특징
-
내전력(최대)
151W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
PG-TO263-3
패키지/케이스
기준 제품 번호
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단종
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