Name: IPB65R190CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND
Price: 8317 KRW
Availability: InStock

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IPB65R190CFDAATMA1
DigiKey 제품 번호	448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IPB65R190CFDAATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IPB65R190CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPB65R190CFDAATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
제조업체 표준 리드 타임	17주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 17.5A(Tc) 151W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPB65R190CFDAATMA1 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 68 nC @ 10 V
제조업체 Infineon Technologies	Vgs(최대) ±20V
계열 CoolMOS™	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1850 pF @ 100 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	내전력(최대) 151W(Tc)
부품 현황 활성	작동 온도 -40°C ~ 150°C(TJ)
FET 유형 N채널	등급 자동차
기술 MOSFET(금속 산화물)	인증 AEC-Q101
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 17.5A(Tc)	공급 장치 패키지 PG-TO263-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
Rds On(최대) @ Id, Vgs 190m옴 @ 7.3A, 10V	기준 제품 번호 IPB65R190
Vgs(th)(최대) @ Id 4.5V @ 700µA

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(2)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IPB65R190CFDATMA2	Infineon Technologies	583	448-IPB65R190CFDATMA2CT-ND	₩6,987.00000	등가 파라미터
FCB20N60FTM	onsemi	1,795	FCB20N60FTMCT-ND	₩10,732.00000	유사