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사용 가능한 대체품:

등가 파라미터


Infineon Technologies
재고 있음: 1,213
단가 : ₩11,634.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 651
단가 : ₩12,720.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩4,204.20000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 1,905
단가 : ₩4,281.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 1,041
단가 : ₩11,405.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 0
단가 : ₩3,449.60000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 670
단가 : ₩18,070.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 1,060
단가 : ₩7,827.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 350
단가 : ₩10,793.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 0
단가 : ₩12,399.00000
규격서
N채널 650 V 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.
N채널 650 V 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R110CFDATMA1

DigiKey 제품 번호
IPB65R110CFDATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
IPB65R110CFDATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT)
IPB65R110CFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체
제조업체 제품 번호
IPB65R110CFDATMA1
제품 요약
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
규격서
 규격서
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류
Vgs(th)(최대) @ Id
4.5V @ 1.3mA
제조업체
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
118 nC @ 10 V
계열
Vgs(최대)
±20V
포장
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
3240 pF @ 100 V
부품 현황
단종
내전력(최대)
277.8W(Tc)
FET 유형
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
기술
실장 유형
표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
공급 장치 패키지
PG-TO263-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
패키지/케이스
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
기준 제품 번호
Rds On(최대) @ Id, Vgs
110m옴 @ 12.7A, 10V
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(10)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
IPB65R110CFDATMA2Infineon Technologies1,213448-IPB65R110CFDATMA2CT-ND₩11,634.00000등가 파라미터
FCB110N65Fonsemi651FCB110N65FCT-ND₩12,720.00000유사
SIHB33N60ET5-GE3Vishay Siliconix0SIHB33N60ET5-GE3-ND₩4,204.20000유사
STB28N60M2STMicroelectronics1,905497-14972-1-ND₩4,281.00000유사
STB30N65M5STMicroelectronics1,041497-10563-1-ND₩11,405.00000유사
단종
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