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N채널 650 V 38A(Tc) 278W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
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N채널 650 V 38A(Tc) 278W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R099C6ATMA1

DigiKey 제품 번호
IPB65R099C6ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
IPB65R099C6ATMA1
제품 요약
MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 38A(Tc) 278W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
규격서
 규격서
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류
Vgs(th)(최대) @ Id
3.5V @ 1.2mA
제조업체
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
127 nC @ 10 V
계열
Vgs(최대)
±20V
포장
테이프 및 릴(TR)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2780 pF @ 100 V
부품 현황
DigiKey에서 공급 중단
내전력(최대)
278W(Tc)
FET 유형
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
기술
실장 유형
표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
공급 장치 패키지
PG-TO263-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
패키지/케이스
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
기준 제품 번호
Rds On(최대) @ Id, Vgs
99m옴 @ 12.8A, 10V
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(8)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
SIHB33N60ET5-GE3Vishay Siliconix0SIHB33N60ET5-GE3-ND₩4,204.20000유사
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