Name: IPB65R045C7ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R045C7ATMA2TR-ND
Price: 17321 KRW
Availability: InStock

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IPB65R045C7ATMA2
DigiKey 제품 번호	IPB65R045C7ATMA2TR-ND - 테이프 및 릴(TR) IPB65R045C7ATMA2CT-ND - 컷 테이프(CT) IPB65R045C7ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPB65R045C7ATMA2
제품 요약	MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
제조업체 표준 리드 타임	19주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 46A(Tc) 227W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPB65R045C7ATMA2 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 1.25mA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 93 nC @ 10 V
계열 CoolMOS™ C7	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 4340 pF @ 400 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 227W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V	공급 장치 패키지 PG-TO263-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 46A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IPB65R045
Rds On(최대) @ Id, Vgs 45m옴 @ 24.9A, 10V