Name: IPB60R180P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R180P7ATMA1TR-ND
Price: 4770 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

IPB60R180P7ATMA1
DigiKey 제품 번호	IPB60R180P7ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) IPB60R180P7ATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) IPB60R180P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPB60R180P7ATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
제조업체 표준 리드 타임	17주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 600 V 18A(Tc) 72W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPB60R180P7ATMA1 모델

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 280µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 25 nC @ 10 V
계열 CoolMOS™ P7	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1081 pF @ 400 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 72W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	공급 장치 패키지 PG-TO263-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 18A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IPB60R180
Rds On(최대) @ Id, Vgs 180m옴 @ 5.6A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

재고: 2,025

추가 입고 예정인 재고 확인

수량

모든 가격은 KRW 기준입니다.

컷 테이프(CT) & Digi-Reel®

* 모든 Digi-Reel 주문에는 ₩8,000 릴링 요금이 추가됩니다.

테이프 및 릴(TR)