Name: IPB60R099C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099C6ATMA1TR-ND
Price: 12215 KRW
Availability: InStock

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IPB60R099C6ATMA1
DigiKey 제품 번호	IPB60R099C6ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) IPB60R099C6ATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) IPB60R099C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPB60R099C6ATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 600 V 37.9A(Tc) 278W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPB60R099C6ATMA1 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.5V @ 1.21mA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 119 nC @ 10 V
계열 CoolMOS™ C6	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2660 pF @ 100 V
부품 현황 기존 설계 전용	내전력(최대) 278W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	공급 장치 패키지 PG-TO263-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 37.9A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IPB60R099
Rds On(최대) @ Id, Vgs 99m옴 @ 18.1A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(12)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
FCB070N65S3	onsemi	2,150	FCB070N65S3CT-ND	₩12,796.00000	직접
SIHB30N60E-GE3	Vishay Siliconix	442	SIHB30N60E-GE3-ND	₩11,007.00000	유사
SIHB33N60E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHB33N60E-GE3-ND	₩11,160.00000	유사
STB26NM60N	STMicroelectronics	1,786	497-10985-1-ND	₩12,811.00000	유사
STB33N65M2	STMicroelectronics	745	497-15457-1-ND	₩8,256.00000	유사