Name: IPB026N06NATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB026N06NATMA1TR-ND
Price: 5137 KRW
Availability: InStock

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IPB026N06NATMA1
DigiKey 제품 번호	IPB026N06NATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) IPB026N06NATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) IPB026N06NATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPB026N06NATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
제조업체 표준 리드 타임	19주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 60 V 25A(Ta), 100A(Tc) 3W(Ta), 136W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPB026N06NATMA1 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.8V @ 75µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 56 nC @ 10 V
계열 OptiMOS™	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 4100 pF @ 30 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 3W(Ta), 136W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60 V	공급 장치 패키지 PG-TO263-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 25A(Ta), 100A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	기준 제품 번호 IPB026
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.6m옴 @ 100A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(5)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
2SK3812-ZP-E1-AZ	Renesas Electronics Corporation	1,305	559-2SK3812-ZP-E1-AZCT-ND	₩11,283.00000	유사
BUK762R6-60E,118	Nexperia USA Inc.	1,815	1727-BUK762R6-60E,118CT-ND	₩7,262.00000	유사
BUK962R8-60E,118	Nexperia USA Inc.	38	1727-1096-1-ND	₩7,262.00000	유사
SQM50020EL_GE3	Vishay Siliconix	168	SQM50020EL_GE3CT-ND	₩7,522.00000	유사
STH260N6F6-2	STMicroelectronics	968	497-STH260N6F6-2CT-ND	₩8,408.00000	유사