Name: IMZA120R030M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R030M1HXKSA1-ND
Price: 27075 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 40.9m옴 @ 25.6A, 18V
제조업체 Infineon Technologies	Vgs(th)(최대) @ Id 5.2V @ 11mA
계열 CoolSiC™	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 68 nC @ 18 V
포장 튜브	Vgs(최대) +20V, -7V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2160 pF @ 800 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 273W(Tc)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 70A(Tc)	공급 장치 패키지 PG-TO247-4-U02
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V, 18V	패키지/케이스 TO-247-4