Name: IMW65R107M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R107M1HXKSA1-ND
Price: 12674 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 5.7V @ 3mA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 15 nC @ 18 V
계열 CoolSiC™	Vgs(최대) +23V, -5V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 496 pF @ 400 V
부품 현황 기존 설계 전용	내전력(최대) 75W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V	공급 장치 패키지 PG-TO247-3-41
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 20A(Tc)	패키지/케이스 TO-247-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V	기준 제품 번호 IMW65R107
Rds On(최대) @ Id, Vgs 142m옴 @ 8.9A, 18V

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대체품(1)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
MSC060SMA070B	Microchip Technology	318	MSC060SMA070B-ND	₩8,531.00000	유사

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