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IMW65R027M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 제품 번호 | 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | IMW65R027M1HXKSA1 |
제품 요약 | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 650 V 47A(Tc) 189W(Tc) 스루홀 PG-TO247-3-41 |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | IMW65R027M1HXKSA1 모델 |
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류 | Vgs(th)(최대) @ Id 5.7V @ 11mA |
제조업체 | 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 62 nC @ 18 V |
계열 | Vgs(최대) +23V, -5V |
포장 튜브 | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2131 pF @ 400 V |
부품 현황 기존 설계 전용 | 내전력(최대) 189W(Tc) |
FET 유형 | 작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ) |
기술 | 실장 유형 스루홀 |
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V | 공급 장치 패키지 PG-TO247-3-41 |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 패키지/케이스 |
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V | 기준 제품 번호 |
Rds On(최대) @ Id, Vgs 34m옴 @ 38.3A, 18V |
제품 정보 오류 보고
문서 및 미디어
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(3)
| 부품 번호 | 제조업체 | 주문 가능 수량 | DigiKey 제품 번호 | 단가 | 대체품 유형 |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 101 | 691-MSC015SMA070B-ND | ₩27,335.00000 | 유사 |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | ₩23,742.00000 | 유사 |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | ₩18,743.00000 | 유사 |
재고: 480
추가 입고 예정인 재고 확인
수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩25,852.00000 | ₩25,852 |
| 30 | ₩15,695.16667 | ₩470,855 |
| 120 | ₩13,470.13333 | ₩1,616,416 |
| 510 | ₩11,841.30588 | ₩6,039,066 |
| 1,020 | ₩11,247.57647 | ₩11,472,528 |
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