Name: IMW120R350M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMW120R350M1HXKSA1-ND
Price: 11614 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 5.7V @ 1mA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 5.3 nC @ 18 V
계열 CoolSiC™	Vgs(최대) +23V, -7V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 182 pF @ 800 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 60W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	공급 장치 패키지 PG-TO247-3-41
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 4.7A(Tc)	패키지/케이스 TO-247-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V, 18V	기준 제품 번호 IMW120
Rds On(최대) @ Id, Vgs 455m옴 @ 2A, 18V

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