Name: IMT65R040M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R040M2HXUMA1TR-ND
Price: 15150 KRW
Availability: OutOfStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

IMT65R040M2HXUMA1
DigiKey 제품 번호	448-IMT65R040M2HXUMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IMT65R040M2HXUMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IMT65R040M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IMT65R040M2HXUMA1
제품 요약	SILICON CARBIDE MOSFET
제조업체 표준 리드 타임	61주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 58.7A(Tc) 277W(Tc) 표면 실장 PG-HSOF-8-2
규격서	규격서

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 36m옴 @ 22.9A, 20V
제조업체 Infineon Technologies	Vgs(th)(최대) @ Id 5.6V @ 4.6mA
계열 CoolSiC™	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 28 nC @ 18 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) +23V, -7V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 997 pF @ 400 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 277W(Tc)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 58.7A(Tc)	공급 장치 패키지 PG-HSOF-8-2
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V, 20V	패키지/케이스 8-PowerSFN