Name: IMBG120R116M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R116M2HXTMA1TR-ND
Price: 12363 KRW
Availability: InStock

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IMBG120R116M2HXTMA1
DigiKey 제품 번호	448-IMBG120R116M2HXTMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IMBG120R116M2HXTMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IMBG120R116M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IMBG120R116M2HXTMA1
제품 요약	SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
제조업체 표준 리드 타임	54주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 1200 V 21.2A(Tc) 123W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-7-12
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 5.1V @ 1.9mA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 14.4 nC @ 18 V
계열 CoolSiC™ G2	Vgs(최대) +23V, -10V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 500 pF @ 800 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 123W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	공급 장치 패키지 PG-TO263-7-12
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 21.2A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V, 18V	기준 제품 번호 IMBG120R116
Rds On(최대) @ Id, Vgs 115.7m옴 @ 6A, 18V