Name: IMBG120R034M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R034M2HXTMA1TR-ND
Price: 21074 KRW
Availability: InStock

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IMBG120R034M2HXTMA1
DigiKey 제품 번호	448-IMBG120R034M2HXTMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IMBG120R034M2HXTMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IMBG120R034M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IMBG120R034M2HXTMA1
제품 요약	SICFET N-CH 1200V 58A TO263
제조업체 표준 리드 타임	69주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 1200 V 58A(Tc) 278W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-7
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 34m옴 @ 20.4A, 18V
제조업체 Infineon Technologies	Vgs(th)(최대) @ Id 5.1V @ 6.4mA
계열 CoolSiC™ G2	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 45 nC @ 18 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) +23V, -7V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1510 pF @ 800 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 278W(Tc)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 58A(Tc)	공급 장치 패키지 PG-TO263-7
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V, 18V	패키지/케이스 TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA