Name: IGT65R140D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R140D2ATMA1TR-ND
Price: 7231 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

IGT65R140D2ATMA1
DigiKey 제품 번호	448-IGT65R140D2ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IGT65R140D2ATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IGT65R140D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IGT65R140D2ATMA1
제품 요약	GANFET N-CH 650V 13A 8PSFN
제조업체 표준 리드 타임	27주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 13A(Tc) 47W(Tc) 표면 실장 PG-HSOF-8-3
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IGT65R140D2ATMA1 모델

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 1.6V @ 1mA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 1.8 nC @ 3 V
계열 CoolGaN™ G5	Vgs(최대) -10V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 155 pF @ 400 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 47W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 GaNFET(질화 갈륨)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V	공급 장치 패키지 PG-HSOF-8-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 13A(Tc)	패키지/케이스 8-PowerSFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs 170m옴 @ 3.1A