Name: IGT65R035D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R035D2ATMA1TR-ND
Price: 19110 KRW
Availability: OutOfStock

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IGT65R035D2ATMA1
DigiKey 제품 번호	448-IGT65R035D2ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IGT65R035D2ATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IGT65R035D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IGT65R035D2ATMA1
제품 요약	GANFET N-CH 650V 49A 8PSFN
제조업체 표준 리드 타임	27주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 49A(Tc) 167W(Tc) 표면 실장 PG-HSOF-8
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IGT65R035D2ATMA1 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 1.6V @ 4.2mA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 7.7 nC @ 3 V
계열 CoolGaN™ G5	Vgs(최대) -10V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 540 pF @ 400 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 167W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 GaNFET(질화 갈륨)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V	공급 장치 패키지 PG-HSOF-8
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 49A(Tc)	패키지/케이스 8-PowerSFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs 42m옴 @ 13A