Name: FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Price: 223162 KRW
Availability: InStock

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FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
DigiKey 제품 번호	448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
제품 요약	MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
제조업체 표준 리드 타임	10주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 200A(Tj) 섀시 실장 모듈
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Infineon Technologies
계열	HEXFET®
포장	트레이
부품 현황	활성
기술	실리콘 카바이드(SiC)
구성	2 N-Chan(이중)
FET 특징	-
드레인 - 소스 전압(Vdss)	1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	200A(Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs	5.63m옴 @ 200A, 15V
Vgs(th)(최대) @ Id	5.55V @ 80mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	496nC @ 15V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	14700pF @ 800V
전력 - 최대	-
작동 온도	-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형	섀시 실장
패키지/케이스	모듈
공급 장치 패키지	모듈