Name: FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Price: 283298 KRW
Availability: InStock

MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 200A(Tj) 섀시 실장 모듈

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FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
DigiKey 제품 번호	448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
제품 요약	MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
제조업체 표준 리드 타임	35주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 200A(Tj) 섀시 실장 모듈
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이	Rds On(최대) @ Id, Vgs 5.63m옴 @ 200A, 15V
제조업체 Infineon Technologies	Vgs(th)(최대) @ Id 5.55V @ 80mA
계열 HEXFET®	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 496nC @ 15V
포장 트레이	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 14700pF @ 800V
부품 현황 활성	작동 온도 -40°C ~ 150°C(TJ)
기술 실리콘 카바이드(SiC)	실장 유형 섀시 실장
구성 2 N-Chan(이중)	패키지/케이스 모듈
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200V(1.2kV)	공급 장치 패키지 모듈
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 200A(Tj)