FF3MR12KM1HPHPSA1
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FF3MR12KM1HHPSA1

DigiKey 제품 번호
448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
제조업체
Infineon Technologies
제조업체 제품 번호
FF3MR12KM1HHPSA1
제품 요약
MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
제조업체 표준 리드 타임
14주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 190A(Tc) 섀시 실장 AG-62MMHB
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
FF3MR12KM1HHPSA1 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Infineon Technologies
계열
CoolSiC™
포장
박스
부품 현황
활성
기술
실리콘 카바이드(SiC)
구성
2 N 채널(하프브리지)
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
190A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
4.44m옴 @ 280A, 18V
Vgs(th)(최대) @ Id
5.1V @ 112mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
800nC @ 18V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
24200pF @ 800V
전력 - 최대
-
작동 온도
-40°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
섀시 실장
패키지/케이스
모듈
공급 장치 패키지
AG-62MMHB
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재고: 19
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수량
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박스
수량 단가 총액
1₩436,203.00000₩436,203
10₩377,130.40000₩3,771,304
30₩376,338.70000₩11,290,161
제조업체 표준 포장