MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 500A(Tc) 섀시 실장 AG-62MM
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FF2MR12KM1HOSA1

DigiKey 제품 번호
448-FF2MR12KM1HOSA1-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
FF2MR12KM1HOSA1
제품 요약
MOSFET 2N-CH 1200V 500A AG-62MM
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 500A(Tc) 섀시 실장 AG-62MM
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
FF2MR12KM1HOSA1 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Infineon Technologies
계열
포장
트레이
부품 현황
단종
기술
실리콘 카바이드(SiC)
구성
2 N 채널(하프브리지)
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
500A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2.13m옴 @ 500A, 15V
Vgs(th)(최대) @ Id
5.15V @ 224mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1340nC @ 15V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
39700pF @ 800V
전력 - 최대
-
작동 온도
-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형
섀시 실장
패키지/케이스
모듈
공급 장치 패키지
AG-62MM
기준 제품 번호
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트레이
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