Name: F417MR12W1M1HB76BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-F417MR12W1M1HB76BPSA1-ND
Price: 176007 KRW
Availability: InStock

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F417MR12W1M1HB76BPSA1
DigiKey 제품 번호	448-F417MR12W1M1HB76BPSA1-ND
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	F417MR12W1M1HB76BPSA1
제품 요약	LOW POWER EASY
제조업체 표준 리드 타임	29주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 45A 섀시 실장
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	F417MR12W1M1HB76BPSA1 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이	Rds On(최대) @ Id, Vgs 11.7m옴 @ 62.5A, 18V
제조업체 Infineon Technologies	Vgs(th)(최대) @ Id 5.15V @ 20mA
계열 EasyPACK™	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 200nC @ 18V
포장 트레이	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 6050pF @ 800V
부품 현황 활성	작동 온도 -40°C ~ 175°C(TJ)
기술 실리콘 카바이드(SiC)	실장 유형 섀시 실장
구성 4 N 채널	패키지/케이스 모듈
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200V(1.2kV)	기준 제품 번호 F417MR12
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 45A