Name: BSZ180P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 1728 KRW
Availability: InStock

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BSZ180P03NS3EGATMA1
DigiKey 제품 번호	BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) BSZ180P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	BSZ180P03NS3EGATMA1
제품 요약	MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
제조업체 표준 리드 타임	61주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 30 V 9A(Ta), 39.5A(Tc) 2.1W(Ta), 40W(Tc) 표면 실장 PG-TSDSON-8
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	BSZ180P03NS3EGATMA1 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.1V @ 48µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 30 nC @ 10 V
계열 OptiMOS™	Vgs(최대) ±25V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2220 pF @ 15 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 2.1W(Ta), 40W(Tc)
FET 유형 P채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	공급 장치 패키지 PG-TSDSON-8
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 9A(Ta), 39.5A(Tc)	패키지/케이스 8-PowerTDFN
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	기준 제품 번호 BSZ180
Rds On(최대) @ Id, Vgs 18m옴 @ 20A, 10V

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