Name: BSS169IXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSS169IXUSA1TR-ND
Price: 142.32 KRW
Availability: OutOfStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 1.8V @ 50µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 2.1 nC @ 7 V
포장 테이프 및 릴(TR)	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 51 pF @ 25 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 360mW(Ta)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 190mA(Ta)	공급 장치 패키지 PG-SOT23-3-U03
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 0V, 10V	패키지/케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.9옴 @ 190mA, 10V

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테이프 및 릴(TR)

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BSS169IXUSA1