BSS123IXTMA1 Infineon Technologies | 단일 FET, MOSFET

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등가 파라미터

Infineon Technologies

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단가 : ₩468.00000

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 1.8V @ 13µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 0.63 nC @ 10 V
계열 OptiMOS™	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 15 pF @ 50 V
부품 현황 DigiKey에서 공급 중단	내전력(최대) 500mW(Ta)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	공급 장치 패키지 PG-SOT23-3-5
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 190mA(Ta)	패키지/케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 BSS123
Rds On(최대) @ Id, Vgs 6옴 @ 190mA, 10V

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대체품(1)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
BSS123IXTSA1	Infineon Technologies	15,534	448-BSS123IXTSA1CT-ND	₩468.00000	등가 파라미터

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BSS123IXTMA1