Name: BSC060N10NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC060N10NS3GATMA1TR-ND
Price: 4938 KRW
Availability: InStock

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BSC060N10NS3GATMA1
DigiKey 제품 번호	BSC060N10NS3GATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) BSC060N10NS3GATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) BSC060N10NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	BSC060N10NS3GATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 14.9A(Ta), 90A(Tc) 125W(Tc) 표면 실장 PG-TDSON-8-1
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	BSC060N10NS3GATMA1 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.5V @ 90µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 68 nC @ 10 V
계열 OptiMOS™	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 4900 pF @ 50 V
부품 현황 기존 설계 전용	내전력(최대) 125W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	공급 장치 패키지 PG-TDSON-8-1
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 14.9A(Ta), 90A(Tc)	패키지/케이스 8-PowerTDFN
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	기준 제품 번호 BSC060
Rds On(최대) @ Id, Vgs 6m옴 @ 50A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(7)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
CSD19531Q5A	Texas Instruments	320	296-41232-1-ND	₩3,807.00000	유사
DI100N10PQ-AQ	Diotec Semiconductor	4,580	4878-DI100N10PQ-AQCT-ND	₩5,121.00000	유사
FDMS86101	onsemi	14,265	FDMS86101CT-ND	₩4,877.00000	유사
FDMS86101DC	onsemi	29,997	FDMS86101DCCT-ND	₩8,592.00000	유사
FDWS86369-F085	onsemi	1,983	FDWS86369-F085CT-ND	₩3,684.00000	유사

재고: 6,129

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