종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 315 nC @ 10 V
제조업체 Infineon Technologies	Vgs(최대) ±20V
계열 HEXFET®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 10250 pF @ 25 V
포장 튜브	내전력(최대) 294W(Tc)
부품 현황 단종	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
FET 유형 N채널	등급 자동차
기술 MOSFET(금속 산화물)	인증 AEC-Q101
드레인 - 소스 전압(Vdss) 40 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 240A(Tc)	공급 장치 패키지 PG-TO263-7-900
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-263-7, D2PAK(6리드 + 탭), TO-263CB
Rds On(최대) @ Id, Vgs 1m옴 @ 100A, 10V	기준 제품 번호 IRFS8408
Vgs(th)(최대) @ Id 3.9V @ 250µA

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IPB240N04S41R0ATMA1	Infineon Technologies	967	448-IPB240N04S41R0ATMA1CT-ND	₩6,880.00000	유사
CSD18510KTTT	Texas Instruments	298	296-45229-1-ND	₩6,971.00000	유사
SQM40010EL_GE3	Vishay Siliconix	603	SQM40010EL_GE3CT-ND	₩6,390.00000	유사
STH320N4F6-6	STMicroelectronics	883	497-13838-1-ND	₩8,118.00000	유사

AUIRFS8408-7P