MOSFET - 어레이 50V 3A 2.4W 표면 실장 8-SO
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AUIRF7103Q

DigiKey 제품 번호
AUIRF7103Q-ND
제조업체
Infineon Technologies
제조업체 제품 번호
AUIRF7103Q
제품 요약
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 50V 3A 2.4W 표면 실장 8-SO
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Infineon Technologies
계열
HEXFET®
포장
튜브
부품 현황
단종
기술
MOSFET(금속 산화물)
구성
2 N-Chan(이중)
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
50V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
130m옴 @ 3A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
15nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
255pF @ 25V
전력 - 최대
2.4W
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
공급 장치 패키지
8-SO
기준 제품 번호
AUIRF7103
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