N채널 1200 V 11A(Tc) 75W(Tc) 표면 실장 TO-263-7
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N채널 1200 V 11A(Tc) 75W(Tc) 표면 실장 TO-263-7
TO-263-7

G3R350MT12J

DigiKey 제품 번호
1913-G3R350MT12J-ND
제조업체
Navitas Semiconductor, Inc.
제조업체 제품 번호
G3R350MT12J
제품 요약
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 1200 V 11A(Tc) 75W(Tc) 표면 실장 TO-263-7
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
G3R350MT12J 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Navitas Semiconductor, Inc.
계열
G3R™
포장
튜브
부품 현황
최종 구매 가능일
FET 유형
N채널
기술
SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
15V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
420m옴 @ 4A, 15V
Vgs(th)(최대) @ Id
2.69V @ 2mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 15 V
Vgs(최대)
±15V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
334 pF @ 800 V
FET 특징
-
내전력(최대)
75W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-263-7
패키지/케이스
TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
기준 제품 번호
G3R350
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구매 가능한 마지막 날짜
구매 가능한 마지막 날짜: 2026. 5. 31.
수량
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튜브
수량 단가 총액
1,000₩5,675.67000₩5,675,670
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