MOSFET - 어레이 1700V(1.7kV) 1.275kA 3750W 섀시 실장 모듈
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MOSFET - 어레이 1700V(1.7kV) 1.275kA 3750W 섀시 실장 모듈
GE12160CEA3
GE12160CEA3

GE17140CEA3

DigiKey 제품 번호
4014-GE17140CEA3-ND
제조업체
GE Aerospace
제조업체 제품 번호
GE17140CEA3
제품 요약
SIC 2N-CH 1700V 1275A MODULE
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 1700V(1.7kV) 1.275kA 3750W 섀시 실장 모듈
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
GE Aerospace
계열
SiC Power
포장
벌크
부품 현황
활성
기술
실리콘 카바이드(SiC)
구성
2 N 채널(하프브리지)
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1700V(1.7kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.275kA
Rds On(최대) @ Id, Vgs
-
Vgs(th)(최대) @ Id
4.5V @ 480mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
3621nC @ 18V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
82000pF @ 600V
전력 - 최대
3750W
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
인증
AEC-Q101
실장 유형
섀시 실장
패키지/케이스
모듈
공급 장치 패키지
모듈
기준 제품 번호
GE17140
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