유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
|---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | EPC | |
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
기술 | GaNFET(질화 갈륨) | |
구성 | 3개 N 채널(하프브리지 + 동기식 부트스트랩) | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V, 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 2.5A, 5V, 3.3옴 @ 2.5A, 5V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 0.22nC(5V), 0.044nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | 9-VFBGA | |
공급 장치 패키지 | 9-BGA(1.35x1.35) | |
기준 제품 번호 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩3,855.00000 | ₩3,855 |
| 10 | ₩2,484.80000 | ₩24,848 |
| 100 | ₩1,701.09000 | ₩170,109 |
| 500 | ₩1,366.11000 | ₩683,055 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 2,500 | ₩1,110.61600 | ₩2,776,540 |





