Name: DMWSH120H28SCT7Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H28SCT7Q-ND
Price: 37081.04 KRW
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 184 nC @ 15 V
제조업체 Diodes Incorporated	Vgs(최대) +19V, -8V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3864 pF @ 1000 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 312W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	등급 자동차
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	인증 AEC-Q101
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 85.5A(Tj)	실장 유형 표면 실장
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V	공급 장치 패키지 TO-263-7
Rds On(최대) @ Id, Vgs 28.5m옴 @ 50A, 15V	패키지/케이스 TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
Vgs(th)(최대) @ Id 3.6V @ 17.7mA