Name: DMWSH120H28SCT7-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H28SCT7-13TR-ND
Price: 27663.63625 KRW
Availability: OutOfStock

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DMWSH120H28SCT7

Diodes Incorporated

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DMWSH120H28SCT7-13
DigiKey 제품 번호	31-DMWSH120H28SCT7-13TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Diodes Incorporated
제조업체 제품 번호	DMWSH120H28SCT7-13
제품 요약	SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 1200 V 85.5A(Tc) 312W(Tc) 표면 실장 TO-263-7
규격서	규격서

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.6V @ 17.7mA
제조업체 Diodes Incorporated	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 184 nC @ 15 V
포장 테이프 및 릴(TR)	Vgs(최대) +19V, -8V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3864 pF @ 1000 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 312W(Tc)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 85.5A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-263-7
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V	패키지/케이스 TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
Rds On(최대) @ Id, Vgs 28.5m옴 @ 50A, 15V