Name: DMTH10H009LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H009LFGQ-7TR-ND
Price: 824.756 KRW
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMTH10H009LFGQ-7
DigiKey 제품 번호	31-DMTH10H009LFGQ-7TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Diodes Incorporated
제조업체 제품 번호	DMTH10H009LFGQ-7
제품 요약	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
제조업체 표준 리드 타임	40주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 12A(Ta), 46A(Tc) 2.5W(Ta), 39W(Tc) 표면 실장 POWERDI3333-8
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Diodes Incorporated
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	12A(Ta), 46A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	8.5m옴 @ 20A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2361 pF @ 50 V
FET 특징	-
내전력(최대)	2.5W(Ta), 39W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	자동차
인증	AEC-Q101
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	POWERDI3333-8
패키지/케이스	8-PowerVDFN