Name: DMT47M2SFVW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT47M2SFVW-13DI-ND
Price: 370.10033 KRW
Availability: OutOfStock

DMT47M2SFVW-13은(는) 구매 가능하지만 상시 재고로 확보되어 있지 않습니다.

사용 가능한 대체품:

등가 파라미터

Diodes Incorporated

재고 있음: 1,337

단가 : ₩1,548.00000

등가 파라미터

Diodes Incorporated

재고 있음: 744

단가 : ₩1,354.00000

등가 파라미터

Diodes Incorporated

재고 있음: 0

단가 : ₩1,354.00000

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

DMT47M2SFVW-13
DigiKey 제품 번호	DMT47M2SFVW-13DI-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Diodes Incorporated
제조업체 제품 번호	DMT47M2SFVW-13
제품 요약	MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
제조업체 표준 리드 타임	24주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 40 V 15.4A(Ta), 49.1A(Tc) 2.67W(Ta), 27.1W(Tc) 표면 실장, 웨터블 플랭크 PowerDI3333-8(SWP) 유형 UX
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Diodes Incorporated
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	15.4A(Ta), 49.1A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	7.5m옴 @ 20A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	12.1 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	897 pF @ 20 V
FET 특징	-
내전력(최대)	2.67W(Ta), 27.1W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장, 웨터블 플랭크
공급 장치 패키지	PowerDI3333-8(SWP) 유형 UX
패키지/케이스	8-PowerVDFN
기준 제품 번호	DMT47