DMN3732UFB4-7 Diodes Incorporated | 이산 반도체 제품

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사용 가능한 대체품:

등가 파라미터

Diodes Incorporated

재고 있음: 0

단가 : ₩357.00000

등가 파라미터

Diodes Incorporated

재고 있음: 0

단가 : ₩402.00000

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Diodes Incorporated
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	Digi-Key에서 공급 중단
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	1.3A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	460m옴 @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id	950mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	0.9 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)	±8V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	40.8 pF @ 25 V
FET 특징	-
내전력(최대)	490mW(Ta)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	X2-DFN1006-3
패키지/케이스	3-XFDFN
기준 제품 번호	DMN3732