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DMN2450UFB4-7B
Diodes Incorporated
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등가 파라미터

DMN2400UFB4-7
Diodes Incorporated
재고 있음: 0
단가 : ₩432.00000
규격서

등가 파라미터

DMN2400UFB4-7R
Diodes Incorporated
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000
규격서
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N채널 20 V 750mA(Ta) 470mW(Ta) 표면 실장 X2-DFN1006-3
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DMN2400UFB4-7B

DigiKey 제품 번호
DMN2400UFB4-7BDI-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
Diodes Incorporated
제조업체 제품 번호
DMN2400UFB4-7B
제품 요약
MOSFET N-CH X2-DFN1006-3
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 20 V 750mA(Ta) 470mW(Ta) 표면 실장 X2-DFN1006-3
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Diodes Incorporated
계열
-
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
750mA(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
550m옴 @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id
900mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±12V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
36 pF @ 16 V
FET 특징
-
내전력(최대)
470mW(Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
자동차
인증
AEC-Q101
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
X2-DFN1006-3
패키지/케이스
3-XFDFN
기준 제품 번호
DMN2400
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