Name: DMN10H170SVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H170SVT-7DITR-ND
Price: 1406 KRW
Availability: InStock

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DMN10H170SVT-7
DigiKey 제품 번호	DMN10H170SVT-7DITR-ND - 테이프 및 릴(TR) DMN10H170SVT-7DICT-ND - 컷 테이프(CT) DMN10H170SVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Diodes Incorporated
제조업체 제품 번호	DMN10H170SVT-7
제품 요약	MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
제조업체 표준 리드 타임	40주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 2.6A(Ta) 1.2W(Ta) 표면 실장 TSOT-26
규격서	규격서

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 250µA
제조업체 Diodes Incorporated	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 9.7 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1167 pF @ 25 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 1.2W(Ta)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 2.6A(Ta)	공급 장치 패키지 TSOT-26
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	패키지/케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Rds On(최대) @ Id, Vgs 160m옴 @ 5A, 10V	기준 제품 번호 DMN10

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제조업체 표준 포장

DMN10H170SVT-7