DMG4468LFG Diodes Incorporated | 단일 FET, MOSFET

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사용 가능한 대체품:

등가 파라미터

Diodes Incorporated

재고 있음: 0

단가 : ₩515.94300

유사

Rohm Semiconductor

재고 있음: 9,453

단가 : ₩988.00000

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Diodes Incorporated
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	DigiKey에서 공급 중단
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	7.62A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	15m옴 @ 11.6A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	18.85 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	867 pF @ 10 V
FET 특징	-
내전력(최대)	990mW(Ta)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	U-DFN3030-8
패키지/케이스	8-PowerUDFN
기준 제품 번호	DMG4468