Name: CGD65A130SH2
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65A130SH2TR-ND
Price: 12353 KRW
Availability: InStock

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CGD65A130SH2
DigiKey 제품 번호	4768-CGD65A130SH2TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 4768-CGD65A130SH2CT-ND - 컷 테이프(CT) 4768-CGD65A130SH2DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Cambridge GaN Devices
제조업체 제품 번호	CGD65A130SH2
제품 요약	650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
제조업체 표준 리드 타임	26주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 12A 표면 실장 16-DFN(8x8)
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Cambridge GaN Devices
계열	ICeGaN™
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	GaNFET(질화 갈륨)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	12A
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	12V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	182m옴 @ 900mA, 12V
Vgs(th)(최대) @ Id	4.2V @ 4.2mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	1.9 nC @ 12 V
Vgs(최대)	+20V, -1V
FET 특징	-
내전력(최대)	-
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	16-DFN(8x8)
패키지/케이스	16-PowerVDFN